WM10P20M2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WM10P20M2
   Código: 10P2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 2.2 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 2 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 15 nC
   Tiempo de subida (tr): 6.5 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 30 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.31 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

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