Справочник MOSFET. WM10P20M2

 

WM10P20M2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WM10P20M2
   Маркировка: 10P2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 15 nC
   Время нарастания (tr): 6.5 ns
   Выходная емкость (Cd): 30 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.31 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для WM10P20M2

 

 

WM10P20M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:538K  way-on
wm10p20m2.pdf

WM10P20M2 WM10P20M2

WM10P20M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -100V, I = -2A DS DR

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top