WM4C62160A Todos los transistores

 

WM4C62160A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WM4C62160A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 1900 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 158 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0195 Ohm
   Paquete / Cubierta: CSP1515-4L
     - Selección de transistores por parámetros

 

WM4C62160A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:410K  way-on
 wm4c62160a.pdf pdf_icon

WM4C62160A

WM4C62160A 20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET Description V (V) I (A) R TYP (m) SSS S SS(on)WM4C62160A uses advanced power trench technology 14.0 @VGS=4.5V that has been especially tailored to minimize the on-state 14.6 @VGS=4.0V resistance This device is suitable for un-directional or 20 8 15.0 @VGS=3.7V bidirectional load switch, facilitated by its common-drain

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: PE506BA | KF5N53D | STD5N52K3 | IRFN440

 

 
Back to Top

 


 
.