WM4C62160A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WM4C62160A
Código: 160
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 1.3 V
Qgⓘ - Carga de la puerta: 13 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 1900 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 158 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0195 Ohm
Paquete / Cubierta: CSP1515-4L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WM4C62160A
WM4C62160A Datasheet (PDF)
wm4c62160a.pdf
WM4C62160A 20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET Description V (V) I (A) R TYP (m) SSS S SS(on)WM4C62160A uses advanced power trench technology 14.0 @VGS=4.5V that has been especially tailored to minimize the on-state 14.6 @VGS=4.0V resistance This device is suitable for un-directional or 20 8 15.0 @VGS=3.7V bidirectional load switch, facilitated by its common-drain
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Liste
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