WM4C62160A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WM4C62160A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 1900 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 158 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0195 Ohm
Encapsulados: CSP1515-4L
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WM4C62160A datasheet
wm4c62160a.pdf
WM4C62160A 20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET Description V (V) I (A) R TYP (m ) SSS S SS(on) WM4C62160A uses advanced power trench technology 14.0 @VGS=4.5V that has been especially tailored to minimize the on-state 14.6 @VGS=4.0V resistance This device is suitable for un-directional or 20 8 15.0 @VGS=3.7V bidirectional load switch, facilitated by its common-drain
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