WM4C62160A - описание и поиск аналогов

 

WM4C62160A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WM4C62160A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1900 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 158 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0195 Ohm

Тип корпуса: CSP1515-4L

Аналог (замена) для WM4C62160A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM4C62160A даташит

 ..1. Size:410K  way-on
 wm4c62160a.pdf pdf_icon

WM4C62160A

WM4C62160A 20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET Description V (V) I (A) R TYP (m ) SSS S SS(on) WM4C62160A uses advanced power trench technology 14.0 @VGS=4.5V that has been especially tailored to minimize the on-state 14.6 @VGS=4.0V resistance This device is suitable for un-directional or 20 8 15.0 @VGS=3.7V bidirectional load switch, facilitated by its common-drain

Другие MOSFET... WM10N02G , WM10N02M , WM10N20M , WM10N33M , WM10N35M2 , WM10N35M3M , WM10P20M2 , WM15P10M2 , 50N06 , WM6C61042A , WMAA4N65D1B , WMK4N65D1B , WML4N65D1B , WMO4N65D1B , WMB010N04LG4 , WMB014N04LG4 , WMB014N06HG4 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.