Справочник MOSFET. WM4C62160A

 

WM4C62160A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WM4C62160A
   Маркировка: 160
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 1.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
   trⓘ - Время нарастания: 1900 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 158 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0195 Ohm
   Тип корпуса: CSP1515-4L

 Аналог (замена) для WM4C62160A

 

 

WM4C62160A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:410K  way-on
 wm4c62160a.pdf

WM4C62160A WM4C62160A

WM4C62160A 20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET Description V (V) I (A) R TYP (m) SSS S SS(on)WM4C62160A uses advanced power trench technology 14.0 @VGS=4.5V that has been especially tailored to minimize the on-state 14.6 @VGS=4.0V resistance This device is suitable for un-directional or 20 8 15.0 @VGS=3.7V bidirectional load switch, facilitated by its common-drain

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top