WM6C61042A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WM6C61042A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.45 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6000 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 401 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0053 Ohm
Encapsulados: CSP2.14X1.67-6L
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WM6C61042A datasheet
wm6c61042a.pdf
WM6C61042A 12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET Description V (V) I (A) R TYP (m ) SSS S SS(on) WM6C61042A uses advanced power trench technology 4.2 @VGS=4.5V that has been especially tailored to minimize the on-state 4.5 @VGS=3.8V resistance This device is suitable for un-directional or 12 8 5.2 @VGS=3.1V bidirectional load switch, facilitated by its common-drain
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History: TPC8031-H
History: TPC8031-H
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