WM6C61042A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WM6C61042A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 1.3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 34 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 6000 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 401 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0053 Ohm
   Paquete / Cubierta: CSP2.14X1.67-6L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WM6C61042A

WM6C61042A Datasheet (PDF)

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wm6c61042a.pdf

WM6C61042A 12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET Description V (V) I (A) R TYP (m) SSS S SS(on)WM6C61042A uses advanced power trench technology 4.2 @VGS=4.5V that has been especially tailored to minimize the on-state 4.5 @VGS=3.8V resistance This device is suitable for un-directional or 12 8 5.2 @VGS=3.1V bidirectional load switch, facilitated by its common-drain

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Liste

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