WM6C61042A - описание и поиск аналогов

 

WM6C61042A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WM6C61042A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6000 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 401 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053 Ohm

Тип корпуса: CSP2.14X1.67-6L

Аналог (замена) для WM6C61042A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM6C61042A даташит

 ..1. Size:408K  way-on
 wm6c61042a.pdf pdf_icon

WM6C61042A

WM6C61042A 12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET Description V (V) I (A) R TYP (m ) SSS S SS(on) WM6C61042A uses advanced power trench technology 4.2 @VGS=4.5V that has been especially tailored to minimize the on-state 4.5 @VGS=3.8V resistance This device is suitable for un-directional or 12 8 5.2 @VGS=3.1V bidirectional load switch, facilitated by its common-drain

Другие MOSFET... WM10N02M , WM10N20M , WM10N33M , WM10N35M2 , WM10N35M3M , WM10P20M2 , WM15P10M2 , WM4C62160A , IRFP460 , WMAA4N65D1B , WMK4N65D1B , WML4N65D1B , WMO4N65D1B , WMB010N04LG4 , WMB014N04LG4 , WMB014N06HG4 , WMB014N06LG4 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.