Справочник MOSFET. WM6C61042A

 

WM6C61042A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM6C61042A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6000 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 401 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053 Ohm
   Тип корпуса: CSP2.14X1.67-6L
 

 Аналог (замена) для WM6C61042A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM6C61042A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:408K  way-on
 wm6c61042a.pdf pdf_icon

WM6C61042A

WM6C61042A 12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET Description V (V) I (A) R TYP (m) SSS S SS(on)WM6C61042A uses advanced power trench technology 4.2 @VGS=4.5V that has been especially tailored to minimize the on-state 4.5 @VGS=3.8V resistance This device is suitable for un-directional or 12 8 5.2 @VGS=3.1V bidirectional load switch, facilitated by its common-drain

Другие MOSFET... WM10N02M , WM10N20M , WM10N33M , WM10N35M2 , WM10N35M3M , WM10P20M2 , WM15P10M2 , WM4C62160A , IRF640 , WMAA4N65D1B , WMK4N65D1B , WML4N65D1B , WMO4N65D1B , WMB010N04LG4 , WMB014N04LG4 , WMB014N06HG4 , WMB014N06LG4 .

History: IRF7703GPBF | JST3400 | NDB7060 | TPC6102 | FHP540A | IRF6722MPBF | IRF7467TR

 

 
Back to Top

 


 
.