WMAA4N65D1B Todos los transistores

 

WMAA4N65D1B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMAA4N65D1B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 77 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55.7 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

 Búsqueda de reemplazo de WMAA4N65D1B MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

WMAA4N65D1B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1584K  way-on
 wmaa4n65d1b wmk4n65d1b wml4n65d1b wmo4n65d1b.pdf pdf_icon

WMAA4N65D1B

WMAA4N65D1B WMK4N65D1BWML4N65D1B WMO4N65D1B650V 4A 2.2 N-ch Power MOSFETDescriptionTO-220FTO-220WMOSTM D1 is Wayons 1st generationTABVDMOS family that is dramatic reductionin on-resistance and ultra-low gate chargefor applications requiring high powerG Gdensity and high efficiency. And it is very D DS Srobust and RoHS compliant.TO-252TO-251-L9.4TABFeatur

Otros transistores... WM10N20M , WM10N33M , WM10N35M2 , WM10N35M3M , WM10P20M2 , WM15P10M2 , WM4C62160A , WM6C61042A , IRFZ44 , WMK4N65D1B , WML4N65D1B , WMO4N65D1B , WMB010N04LG4 , WMB014N04LG4 , WMB014N06HG4 , WMB014N06LG4 , WMB017N03LG2 .

History: HAT1139H | ME200N04T-G

 

 
Back to Top

 


 
.