WMAA4N65D1B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMAA4N65D1B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 77 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55.7 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.6 Ohm
Encapsulados: TO251
Búsqueda de reemplazo de WMAA4N65D1B MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
WMAA4N65D1B datasheet
wmaa4n65d1b wmk4n65d1b wml4n65d1b wmo4n65d1b.pdf
WMAA4N65D1B WMK4N65D1B WML4N65D1B WMO4N65D1B 650V 4A 2.2 N-ch Power MOSFET Description TO-220F TO-220 WMOSTM D1 is Wayon s 1st generation TAB VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power G G density and high efficiency. And it is very D D S S robust and RoHS compliant. TO-252 TO-251-L9.4 TAB Featur
Otros transistores... WM10N20M , WM10N33M , WM10N35M2 , WM10N35M3M , WM10P20M2 , WM15P10M2 , WM4C62160A , WM6C61042A , IRFZ44 , WMK4N65D1B , WML4N65D1B , WMO4N65D1B , WMB010N04LG4 , WMB014N04LG4 , WMB014N06HG4 , WMB014N06LG4 , WMB017N03LG2 .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2sb554 | 2sd2560 | 2sc2078 transistor | bc558 datasheet | p75nf75 mosfet | ao4407a | mpsa06 datasheet | bc548 pinout