WMAA4N65D1B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WMAA4N65D1B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 77 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 14.5 nC
Время нарастания (tr): 14.4 ns
Выходная емкость (Cd): 55.7 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.6 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для WMAA4N65D1B
WMAA4N65D1B Datasheet (PDF)
..1. Size:1584K way-on
wmaa4n65d1b wmk4n65d1b wml4n65d1b wmo4n65d1b.pdf
wmaa4n65d1b wmk4n65d1b wml4n65d1b wmo4n65d1b.pdf
WMAA4N65D1B WMK4N65D1BWML4N65D1B WMO4N65D1B650V 4A 2.2 N-ch Power MOSFETDescriptionTO-220FTO-220WMOSTM D1 is Wayons 1st generationTABVDMOS family that is dramatic reductionin on-resistance and ultra-low gate chargefor applications requiring high powerG Gdensity and high efficiency. And it is very D DS Srobust and RoHS compliant.TO-252TO-251-L9.4TABFeatur
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
