WMB053NV8HGS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMB053NV8HGS
Código: B053NV8H
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 76.2 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 720 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5060-8L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMB053NV8HGS
WMB053NV8HGS Datasheet (PDF)
wmb053nv8hgs.pdf
WMB053NV8HGS 85V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDDWMB053NV8HGS uses Wayon's advanced power trench MOSFET D Dtechnology that has been especially tailored to minimize the on-state Gsssssresistance and yet maintain superior switching performance. This device Gsis well suited for high efficiency fast switching applications.PDFN5060-8LF
wmb050n03lg4.pdf
WMB050N03LG4 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDWMB050N03LG4 uses Wayon's 4th generation power trench DDD DMOSFET technology that has been especially tailored to minimize the Gssssson-state resistance and yet maintain superior switching performance. GsThis device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN506
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