WMB053NV8HGS Todos los transistores

 

WMB053NV8HGS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMB053NV8HGS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 85 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 720 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm

Encapsulados: PDFN5060-8L

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WMB053NV8HGS datasheet

 ..1. Size:984K  way-on
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WMB053NV8HGS

WMB053NV8HGS 85V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D DD D WMB053NV8HGS uses Wayon's advanced power trench MOSFET D D technology that has been especially tailored to minimize the on-state G ss s ss resistance and yet maintain superior switching performance. This device G s is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN5060-8L F

 9.1. Size:639K  way-on
wmb050n03lg4.pdf pdf_icon

WMB053NV8HGS

WMB050N03LG4 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D WMB050N03LG4 uses Wayon's 4th generation power trench D D D D MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the G ss s ss on-state resistance and yet maintain superior switching performance. G s This device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN506

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