WMB053NV8HGS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WMB053NV8HGS
   Código: B053NV8H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 76.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 720 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5060-8L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMB053NV8HGS

WMB053NV8HGS Datasheet (PDF)

..1. Size:984K way-on
wmb053nv8hgs.pdf

WMB053NV8HGS 85V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDDWMB053NV8HGS uses Wayon's advanced power trench MOSFET D Dtechnology that has been especially tailored to minimize the on-state Gsssssresistance and yet maintain superior switching performance. This device Gsis well suited for high efficiency fast switching applications.PDFN5060-8LF

9.1. Size:639K way-on
wmb050n03lg4.pdf

WMB050N03LG4 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDWMB050N03LG4 uses Wayon's 4th generation power trench DDD DMOSFET technology that has been especially tailored to minimize the Gssssson-state resistance and yet maintain superior switching performance. GsThis device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN506

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Liste

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