WMB053NV8HGS - описание и поиск аналогов

 

WMB053NV8HGS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMB053NV8HGS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 85 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 720 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: PDFN5060-8L

Аналог (замена) для WMB053NV8HGS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMB053NV8HGS даташит

 ..1. Size:984K  way-on
 wmb053nv8hgs.pdf pdf_icon

WMB053NV8HGS

WMB053NV8HGS 85V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D DD D WMB053NV8HGS uses Wayon's advanced power trench MOSFET D D technology that has been especially tailored to minimize the on-state G ss s ss resistance and yet maintain superior switching performance. This device G s is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN5060-8L F

 9.1. Size:639K  way-on
 wmb050n03lg4.pdf pdf_icon

WMB053NV8HGS

WMB050N03LG4 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D WMB050N03LG4 uses Wayon's 4th generation power trench D D D D MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the G ss s ss on-state resistance and yet maintain superior switching performance. G s This device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN506

Другие MOSFET... WMB040N08HGS , WMB042DN03LG2 , WMB043N10HGS , WMB043N10LGS , WMB048NV6HG4 , WMB048NV6LG4 , WMB049N12HG2 , WMB050N03LG4 , SPP20N60C3 , WMB060N08HG2 , WMB060N08LG2 , WMB060N10HGS , WMB060N10LGS , WMB072N12HG2 , WMB072N12LG2-S , WMB080N03LG2 , WMB080N10LG2 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.