Справочник MOSFET. WMB053NV8HGS

 

WMB053NV8HGS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMB053NV8HGS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 720 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5060-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WMB053NV8HGS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:984K  way-on
 wmb053nv8hgs.pdf pdf_icon

WMB053NV8HGS

WMB053NV8HGS 85V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDDWMB053NV8HGS uses Wayon's advanced power trench MOSFET D Dtechnology that has been especially tailored to minimize the on-state Gsssssresistance and yet maintain superior switching performance. This device Gsis well suited for high efficiency fast switching applications.PDFN5060-8LF

 9.1. Size:639K  way-on
 wmb050n03lg4.pdf pdf_icon

WMB053NV8HGS

WMB050N03LG4 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDWMB050N03LG4 uses Wayon's 4th generation power trench DDD DMOSFET technology that has been especially tailored to minimize the Gssssson-state resistance and yet maintain superior switching performance. GsThis device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN506

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: APL602J | TK3A60DA | BSS214NW

 

 
Back to Top

 


 
.