WMB072N12HG2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMB072N12HG2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 120 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 471 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
Encapsulados: PDFN5060-8L
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WMB072N12HG2 datasheet
wmb072n12hg2.pdf
WMB072N12HG2 120V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D D WMB072N12HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET D D D technology that has been especially tailored to minimize the on-state G ss s resistance and yet maintain superior switching performance. This ss G s device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN5060
wmb072n12lg2-s.pdf
WMB072N12LG2-S 120V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D D D WMB072N12LG2-S uses Wayon's 2nd generation power trench D D MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the G ss s ss G on-state resistance and yet maintain superior switching performance. s This device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN
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History: FK4B0112
History: FK4B0112
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