WMB072N12HG2 - описание и поиск аналогов

 

WMB072N12HG2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMB072N12HG2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 471 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: PDFN5060-8L

Аналог (замена) для WMB072N12HG2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMB072N12HG2 даташит

 ..1. Size:544K  way-on
 wmb072n12hg2.pdf pdf_icon

WMB072N12HG2

WMB072N12HG2 120V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D D WMB072N12HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET D D D technology that has been especially tailored to minimize the on-state G ss s resistance and yet maintain superior switching performance. This ss G s device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN5060

 5.1. Size:625K  way-on
 wmb072n12lg2-s.pdf pdf_icon

WMB072N12HG2

WMB072N12LG2-S 120V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D D D WMB072N12LG2-S uses Wayon's 2nd generation power trench D D MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the G ss s ss G on-state resistance and yet maintain superior switching performance. s This device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN

Другие MOSFET... WMB048NV6LG4 , WMB049N12HG2 , WMB050N03LG4 , WMB053NV8HGS , WMB060N08HG2 , WMB060N08LG2 , WMB060N10HGS , WMB060N10LGS , 12N60 , WMB072N12LG2-S , WMB080N03LG2 , WMB080N10LG2 , WMB090DN04LG2 , WMB090DNV6LG4 , WMB090N04LG2 , WMB090NV6LG4 , WMB093N15HG4 .

History: SSF65R600S2E

 

 

 

 

↑ Back to Top
.