WMB072N12HG2 - аналоги и даташиты транзистора

 

WMB072N12HG2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: WMB072N12HG2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 471 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5060-8L
 

 Аналог (замена) для WMB072N12HG2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMB072N12HG2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:544K  way-on
 wmb072n12hg2.pdf pdf_icon

WMB072N12HG2

WMB072N12HG2 120V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDWMB072N12HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET DD Dtechnology that has been especially tailored to minimize the on-state Gsssresistance and yet maintain superior switching performance. This ssGsdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN5060

 5.1. Size:625K  way-on
 wmb072n12lg2-s.pdf pdf_icon

WMB072N12HG2

WMB072N12LG2-S 120V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDDWMB072N12LG2-S uses Wayon's 2nd generation power trench D DMOSFET technology that has been especially tailored to minimize the GsssssGon-state resistance and yet maintain superior switching performance. sThis device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN

Другие MOSFET... WMB048NV6LG4 , WMB049N12HG2 , WMB050N03LG4 , WMB053NV8HGS , WMB060N08HG2 , WMB060N08LG2 , WMB060N10HGS , WMB060N10LGS , IRF1010E , WMB072N12LG2-S , WMB080N03LG2 , WMB080N10LG2 , WMB090DN04LG2 , WMB090DNV6LG4 , WMB090N04LG2 , WMB090NV6LG4 , WMB093N15HG4 .

History: RQM2201DNS | NCE01ND03S | MT6680 | IPA50R140CP | 2SJ202 | BLF888B | 2SK3472

 

 
Back to Top

 


 
.