WMB080N10LG2 Todos los transistores

 

WMB080N10LG2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMB080N10LG2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 84 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 74 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 359 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5060-8L
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

WMB080N10LG2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:674K  way-on
 wmb080n10lg2.pdf pdf_icon

WMB080N10LG2

WMB080N10LG2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDWMB080N10LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET DDD Dtechnology that has been especially tailored to minimize the on-state Gssresistance and yet maintain superior switching performance. This device sssGsis well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN

 7.1. Size:638K  way-on
 wmb080n03lg2.pdf pdf_icon

WMB080N10LG2

WMB080N03LG2 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDWMB080N03LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET DDD Dtechnology that has been especially tailored to minimize the on-state Gssresistance and yet maintain superior switching performance. This sssGsdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN5

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History: STW13NM60N

 

 
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