WMB080N10LG2 - описание и поиск аналогов

 

WMB080N10LG2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMB080N10LG2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 84 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 74 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 359 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: PDFN5060-8L

Аналог (замена) для WMB080N10LG2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMB080N10LG2 даташит

 ..1. Size:674K  way-on
 wmb080n10lg2.pdf pdf_icon

WMB080N10LG2

WMB080N10LG2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D WMB080N10LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET D D D D technology that has been especially tailored to minimize the on-state G ss resistance and yet maintain superior switching performance. This device s ss G s is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN

 7.1. Size:638K  way-on
 wmb080n03lg2.pdf pdf_icon

WMB080N10LG2

WMB080N03LG2 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D WMB080N03LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET D D D D technology that has been especially tailored to minimize the on-state G ss resistance and yet maintain superior switching performance. This s ss G s device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN5

Другие MOSFET... WMB053NV8HGS , WMB060N08HG2 , WMB060N08LG2 , WMB060N10HGS , WMB060N10LGS , WMB072N12HG2 , WMB072N12LG2-S , WMB080N03LG2 , IRFB3607 , WMB090DN04LG2 , WMB090DNV6LG4 , WMB090N04LG2 , WMB090NV6LG4 , WMB093N15HG4 , WMB098N03LG2 , WMB099N10HGS , WMB099N10LG2 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.