WMB108N03T1 Todos los transistores

 

WMB108N03T1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMB108N03T1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 108 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 416 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5060-8L
 

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WMB108N03T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:984K  way-on
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WMB108N03T1

WMB108N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDWMB108N03T1 uses advanced power trench technology that has D DDDDbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and Gyet maintain superior switching performance. ssss sGsFeatures PDFN5060-8L V = 30 V, I = 108A DS DR

 9.1. Size:536K  way-on
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WMB108N03T1

WMB100N07TS 70V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDWMB100N07TS uses advanced power trench technology that has DD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet Gsssmaintain superior switching performance. ssGsFeatures PDFN5060-8L V = 70V, I = 100A DS DR

 9.2. Size:1091K  way-on
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WMB108N03T1

WMB100P03TS 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMB100P03TS uses advanced power trench technology that has D DDDDDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet Gmaintain superior switching performance. sssssGsFeatures PDFN5060-8L V = -30V, I = -100A DS DR

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History: 6N70KG-TMS4-T | PHP79NQ08LT | SFB024N100C3 | NCE6010J | LSD65R180GT | UPA1814GR | FQD6N40CTM

 

 
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