WMB108N03T1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: WMB108N03T1
Маркировка: B108N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 108 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 32 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 416 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
Тип корпуса: PDFN5060-8L
Аналог (замена) для WMB108N03T1
WMB108N03T1 Datasheet (PDF)
wmb108n03t1.pdf

WMB108N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDWMB108N03T1 uses advanced power trench technology that has D DDDDbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and Gyet maintain superior switching performance. ssss sGsFeatures PDFN5060-8L V = 30 V, I = 108A DS DR
wmb100n07ts.pdf

WMB100N07TS 70V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDWMB100N07TS uses advanced power trench technology that has DD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet Gsssmaintain superior switching performance. ssGsFeatures PDFN5060-8L V = 70V, I = 100A DS DR
wmb100p03ts.pdf

WMB100P03TS 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMB100P03TS uses advanced power trench technology that has D DDDDDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet Gmaintain superior switching performance. sssssGsFeatures PDFN5060-8L V = -30V, I = -100A DS DR
Другие MOSFET... WMB090NV6LG4 , WMB093N15HG4 , WMB098N03LG2 , WMB099N10HGS , WMB099N10LG2 , WMB099N10LGS , WMB100N07TS , WMB100P03TS , STF13NM60N , WMB115N15HG4 , WMB115N15LG4 , WMB119N10LG2 , WMB119N12HG4 , WMB119N12LG4 , WMB120P06TS , WMB129N10T2 , WMB140NV6LG4 .
History: 2SK3716-Z | STP22NM60N
History: 2SK3716-Z | STP22NM60N



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
mp38a | bc546 transistor | bd243 | 2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent | tip31 | tip122 transistor | 2sc1079