WMB140NV6LG4 Todos los transistores

 

WMB140NV6LG4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMB140NV6LG4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5060-8L
 

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WMB140NV6LG4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:978K  way-on
 wmb140nv6lg4.pdf pdf_icon

WMB140NV6LG4

WMB140NV6LG4 65V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDDD DWMB140NV6LG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET Gtechnology that has been especially tailored to minimize the on-state sssssGsresistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN506

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History: STP11N65M2 | STFI13N80K5 | PSMN1R8-40YLC

 

 
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