WMB140NV6LG4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMB140NV6LG4
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 65 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5.1 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5060-8L
Búsqueda de reemplazo de WMB140NV6LG4 MOSFET
WMB140NV6LG4 Datasheet (PDF)
wmb140nv6lg4.pdf

WMB140NV6LG4 65V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDDD DWMB140NV6LG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET Gtechnology that has been especially tailored to minimize the on-state sssssGsresistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN506
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History: STP45NF06 | SI1056X



Liste
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