WMB140NV6LG4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMB140NV6LG4
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 65 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5.1 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
Encapsulados: PDFN5060-8L
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WMB140NV6LG4 datasheet
wmb140nv6lg4.pdf
WMB140NV6LG4 65V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D DD D D D WMB140NV6LG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET G technology that has been especially tailored to minimize the on-state ss s ss G s resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN506
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