WMB140NV6LG4 - аналоги и даташиты транзистора

 

WMB140NV6LG4 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: WMB140NV6LG4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5060-8L
 

 Аналог (замена) для WMB140NV6LG4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMB140NV6LG4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:978K  way-on
 wmb140nv6lg4.pdf pdf_icon

WMB140NV6LG4

WMB140NV6LG4 65V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDDD DWMB140NV6LG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET Gtechnology that has been especially tailored to minimize the on-state sssssGsresistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN506

Другие MOSFET... WMB108N03T1 , WMB115N15HG4 , WMB115N15LG4 , WMB119N10LG2 , WMB119N12HG4 , WMB119N12LG4 , WMB120P06TS , WMB129N10T2 , RU6888R , WMB150N03TS , WMB175DN10LG4 , WMB175N10HG4 , WMB175N10LG4 , WMB190N15HG4 , WMB240P10HG4 , WMB26DN06TS , WMB26N06TS .

 

 
Back to Top

 


 
.