WMB140NV6LG4 - описание и поиск аналогов

 

WMB140NV6LG4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMB140NV6LG4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 65 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: PDFN5060-8L

Аналог (замена) для WMB140NV6LG4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMB140NV6LG4 даташит

 ..1. Size:978K  way-on
 wmb140nv6lg4.pdf pdf_icon

WMB140NV6LG4

WMB140NV6LG4 65V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D DD D D D WMB140NV6LG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET G technology that has been especially tailored to minimize the on-state ss s ss G s resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN506

Другие MOSFET... WMB108N03T1 , WMB115N15HG4 , WMB115N15LG4 , WMB119N10LG2 , WMB119N12HG4 , WMB119N12LG4 , WMB120P06TS , WMB129N10T2 , 18N50 , WMB150N03TS , WMB175DN10LG4 , WMB175N10HG4 , WMB175N10LG4 , WMB190N15HG4 , WMB240P10HG4 , WMB26DN06TS , WMB26N06TS .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.