WMB150N03TS Todos los transistores

 

WMB150N03TS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMB150N03TS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 672 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5060-8L
 

 Búsqueda de reemplazo de WMB150N03TS MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

WMB150N03TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:631K  way-on
 wmb150n03ts.pdf pdf_icon

WMB150N03TS

WMB150N03TS 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDDD DWMB150N03TS uses advanced power trench technology that has Gbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet sssssGsmaintain superior switching performance.Features PDFN5060-8L V = 30V, I = 150A DS DR

Otros transistores... WMB115N15HG4 , WMB115N15LG4 , WMB119N10LG2 , WMB119N12HG4 , WMB119N12LG4 , WMB120P06TS , WMB129N10T2 , WMB140NV6LG4 , 20N50 , WMB175DN10LG4 , WMB175N10HG4 , WMB175N10LG4 , WMB190N15HG4 , WMB240P10HG4 , WMB26DN06TS , WMB26N06TS , WMB31430DN .

History: WMB119N12HG4 | AON2801 | NTB5860NL | BLF7G24L-100 | ZXMN2AMC | BLF7G22LS-100P | VBA1101N

 

 
Back to Top

 


 
.