WMB150N03TS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMB150N03TS
Código: B150N03S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 100 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 13.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 672 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5060-8L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMB150N03TS
WMB150N03TS Datasheet (PDF)
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WMB150N03TS 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDDD DWMB150N03TS uses advanced power trench technology that has Gbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet sssssGsmaintain superior switching performance.Features PDFN5060-8L V = 30V, I = 150A DS DR
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