WMB150N03TS Todos los transistores

 

WMB150N03TS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMB150N03TS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 672 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm

Encapsulados: PDFN5060-8L

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WMB150N03TS datasheet

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WMB150N03TS

WMB150N03TS 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D D D D D WMB150N03TS uses advanced power trench technology that has G been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet ss s ss G s maintain superior switching performance. Features PDFN5060-8L V = 30V, I = 150A DS D R

Otros transistores... WMB115N15HG4 , WMB115N15LG4 , WMB119N10LG2 , WMB119N12HG4 , WMB119N12LG4 , WMB120P06TS , WMB129N10T2 , WMB140NV6LG4 , 20N50 , WMB175DN10LG4 , WMB175N10HG4 , WMB175N10LG4 , WMB190N15HG4 , WMB240P10HG4 , WMB26DN06TS , WMB26N06TS , WMB31430DN .

 

 

 


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