WMB150N03TS - описание и поиск аналогов

 

WMB150N03TS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMB150N03TS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 672 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: PDFN5060-8L

Аналог (замена) для WMB150N03TS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMB150N03TS даташит

 ..1. Size:631K  way-on
 wmb150n03ts.pdf pdf_icon

WMB150N03TS

WMB150N03TS 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D D D D D WMB150N03TS uses advanced power trench technology that has G been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet ss s ss G s maintain superior switching performance. Features PDFN5060-8L V = 30V, I = 150A DS D R

Другие MOSFET... WMB115N15HG4 , WMB115N15LG4 , WMB119N10LG2 , WMB119N12HG4 , WMB119N12LG4 , WMB120P06TS , WMB129N10T2 , WMB140NV6LG4 , 20N50 , WMB175DN10LG4 , WMB175N10HG4 , WMB175N10LG4 , WMB190N15HG4 , WMB240P10HG4 , WMB26DN06TS , WMB26N06TS , WMB31430DN .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.