Справочник MOSFET. WMB150N03TS

 

WMB150N03TS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMB150N03TS
   Маркировка: B150N03S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 100 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 672 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5060-8L

 Аналог (замена) для WMB150N03TS

 

 

WMB150N03TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:631K  way-on
 wmb150n03ts.pdf

WMB150N03TS WMB150N03TS

WMB150N03TS 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDDD DWMB150N03TS uses advanced power trench technology that has Gbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet sssssGsmaintain superior switching performance.Features PDFN5060-8L V = 30V, I = 150A DS DR

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top