Справочник MOSFET. WMB150N03TS

 

WMB150N03TS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMB150N03TS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 672 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5060-8L
 

 Аналог (замена) для WMB150N03TS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMB150N03TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:631K  way-on
 wmb150n03ts.pdf pdf_icon

WMB150N03TS

WMB150N03TS 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDDD DWMB150N03TS uses advanced power trench technology that has Gbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet sssssGsmaintain superior switching performance.Features PDFN5060-8L V = 30V, I = 150A DS DR

Другие MOSFET... WMB115N15HG4 , WMB115N15LG4 , WMB119N10LG2 , WMB119N12HG4 , WMB119N12LG4 , WMB120P06TS , WMB129N10T2 , WMB140NV6LG4 , 2N60 , WMB175DN10LG4 , WMB175N10HG4 , WMB175N10LG4 , WMB190N15HG4 , WMB240P10HG4 , WMB26DN06TS , WMB26N06TS , WMB31430DN .

 

 
Back to Top

 


 
.