STK900 Todos los transistores

 

STK900 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STK900

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 17.4 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.9 Ohm

Encapsulados: SOT89

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STK900 datasheet

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STK900

Gre r r P Pr Pr Pro STK900 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) ( ) Max Rugged and reliable. 1.9 @ VGS=10V Suface Mount Package. 100V 1A 2.2 @ VGS=4.5V ESD Protected. D D G S D SOT-89 G S (TA=25 C unless otherwise noted) A

Otros transistores... FDP8441 , FDP8443F085 , FDP8447L , FDP8860 , STM102D , FDP8870 , STM101N , FDP8870F085 , AO3407 , FDP8874 , STK801 , FDP8876 , STK600 , FDP8880 , STK400 , FDP8896 , STK103 .

History: FDPF680N10T | ISW65R041CFD | FQD12N20L | STM4532

 

 

 

 

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