STK900 Todos los transistores

 

STK900 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STK900
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 17.4 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT89
     - Selección de transistores por parámetros

 

STK900 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:98K  samhop
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STK900

GrerrPPrPrProSTK900aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () MaxRugged and reliable.1.9 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 1A2.2 @ VGS=4.5VESD Protected.DDGSDSOT-89GS(TA=25C unless otherwise noted)A

Otros transistores... FDP8441 , FDP8443F085 , FDP8447L , FDP8860 , STM102D , FDP8870 , STM101N , FDP8870F085 , IRFB31N20D , FDP8874 , STK801 , FDP8876 , STK600 , FDP8880 , STK400 , FDP8896 , STK103 .

History: CPH3448 | ET6309 | 3SK38 | AP2312GN | IRF8852 | UF830KG-TA3-T | H7N1004FM

 

 
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