STK900 - описание и поиск аналогов

 

STK900. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STK900

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 17.4 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm

Тип корпуса: SOT89

Аналог (замена) для STK900

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STK900 даташит

 ..1. Size:98K  samhop
 stk900.pdf pdf_icon

STK900

Gre r r P Pr Pr Pro STK900 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) ( ) Max Rugged and reliable. 1.9 @ VGS=10V Suface Mount Package. 100V 1A 2.2 @ VGS=4.5V ESD Protected. D D G S D SOT-89 G S (TA=25 C unless otherwise noted) A

Другие MOSFET... FDP8441 , FDP8443F085 , FDP8447L , FDP8860 , STM102D , FDP8870 , STM101N , FDP8870F085 , AO3407 , FDP8874 , STK801 , FDP8876 , STK600 , FDP8880 , STK400 , FDP8896 , STK103 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.