STK900 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STK900
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1 A
Общий заряд затвора (Qg): 1.23 nC
Выходная емкость (Cd): 17.4 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.9 Ohm
Тип корпуса: SOT89
STK900 Datasheet (PDF)
stk900.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
GrerrPPrPrProSTK900aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () MaxRugged and reliable.1.9 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 1A2.2 @ VGS=4.5VESD Protected.DDGSDSOT-89GS(TA=25C unless otherwise noted)A
Другие MOSFET... FDP8441 , FDP8443F085 , FDP8447L , FDP8860 , STM102D , FDP8870 , STM101N , FDP8870F085 , 10N65 , FDP8874 , STK801 , FDP8876 , STK600 , FDP8880 , STK400 , FDP8896 , STK103 .