Справочник MOSFET. STK900

 

STK900 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STK900
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 1.23 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 17.4 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm
   Тип корпуса: SOT89
 

 Аналог (замена) для STK900

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STK900 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:98K  samhop
 stk900.pdf pdf_icon

STK900

GrerrPPrPrProSTK900aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () MaxRugged and reliable.1.9 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 1A2.2 @ VGS=4.5VESD Protected.DDGSDSOT-89GS(TA=25C unless otherwise noted)A

Другие MOSFET... FDP8441 , FDP8443F085 , FDP8447L , FDP8860 , STM102D , FDP8870 , STM101N , FDP8870F085 , 7N60 , FDP8874 , STK801 , FDP8876 , STK600 , FDP8880 , STK400 , FDP8896 , STK103 .

 

 
Back to Top

 


 
.