WMB190N15HG4 Todos los transistores

 

WMB190N15HG4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMB190N15HG4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 148 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0195 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5060-8L
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

WMB190N15HG4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:980K  way-on
 wmb190n15hg4.pdf pdf_icon

WMB190N15HG4

WMB190N15HG4 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDWMB190N15HG4 uses Wayon's 4th generation power trench DD DMOSFET technology that has been especially tailored to minimize the Gssssson-state resistance and yet maintain superior switching performance. GsThis device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN50

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History: STB185N55F3 | UF640G-TF3-T

 

 
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