Справочник MOSFET. WMB190N15HG4

 

WMB190N15HG4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMB190N15HG4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 148 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0195 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5060-8L
 

 Аналог (замена) для WMB190N15HG4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMB190N15HG4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:980K  way-on
 wmb190n15hg4.pdf pdf_icon

WMB190N15HG4

WMB190N15HG4 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDWMB190N15HG4 uses Wayon's 4th generation power trench DD DMOSFET technology that has been especially tailored to minimize the Gssssson-state resistance and yet maintain superior switching performance. GsThis device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN50

Другие MOSFET... WMB119N12LG4 , WMB120P06TS , WMB129N10T2 , WMB140NV6LG4 , WMB150N03TS , WMB175DN10LG4 , WMB175N10HG4 , WMB175N10LG4 , AON6380 , WMB240P10HG4 , WMB26DN06TS , WMB26N06TS , WMB31430DN , WMB340N20HG2 , WMB35P04T1 , WMB35P06TS , WMB40N04TS .

History: IXFB72N55Q2

 

 
Back to Top

 


 
.