WMB190N15HG4 - описание и поиск аналогов

 

WMB190N15HG4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMB190N15HG4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 148 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0195 Ohm

Тип корпуса: PDFN5060-8L

Аналог (замена) для WMB190N15HG4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMB190N15HG4 даташит

 ..1. Size:980K  way-on
 wmb190n15hg4.pdf pdf_icon

WMB190N15HG4

WMB190N15HG4 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D D WMB190N15HG4 uses Wayon's 4th generation power trench D D D MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the G ss s ss on-state resistance and yet maintain superior switching performance. G s This device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN50

Другие MOSFET... WMB119N12LG4 , WMB120P06TS , WMB129N10T2 , WMB140NV6LG4 , WMB150N03TS , WMB175DN10LG4 , WMB175N10HG4 , WMB175N10LG4 , IRFZ24N , WMB240P10HG4 , WMB26DN06TS , WMB26N06TS , WMB31430DN , WMB340N20HG2 , WMB35P04T1 , WMB35P06TS , WMB40N04TS .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.