WMB240P10HG4 Todos los transistores

 

WMB240P10HG4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMB240P10HG4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 53 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 328 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm

Encapsulados: PDFN5060-8L

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WMB240P10HG4 datasheet

 ..1. Size:637K  way-on
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WMB240P10HG4

WMB240P10HG4 100V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D DD D WMB240P10HG4 uses Wayon's4th generation power trench MOSFET D D technology that has been especially tailored to minimize the on-state G ss s ss G resistance and yet maintain superior switching performance. This s device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN5060-

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