WMB240P10HG4 Todos los transistores

 

WMB240P10HG4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMB240P10HG4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 53 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 328 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5060-8L
 

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WMB240P10HG4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:637K  way-on
 wmb240p10hg4.pdf pdf_icon

WMB240P10HG4

WMB240P10HG4 100V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDDWMB240P10HG4 uses Wayon's4th generation power trench MOSFET D Dtechnology that has been especially tailored to minimize the on-state GsssssGresistance and yet maintain superior switching performance. This sdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN5060-

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History: CS12N65F | HSBA6115 | PJX8808 | SI7120DN | ME60N04 | CES2305 | SI4830CDY

 

 
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