WMB240P10HG4 - описание и поиск аналогов

 

WMB240P10HG4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMB240P10HG4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 53 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 328 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: PDFN5060-8L

Аналог (замена) для WMB240P10HG4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMB240P10HG4 даташит

 ..1. Size:637K  way-on
 wmb240p10hg4.pdf pdf_icon

WMB240P10HG4

WMB240P10HG4 100V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D DD D WMB240P10HG4 uses Wayon's4th generation power trench MOSFET D D technology that has been especially tailored to minimize the on-state G ss s ss G resistance and yet maintain superior switching performance. This s device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN5060-

Другие MOSFET... WMB120P06TS , WMB129N10T2 , WMB140NV6LG4 , WMB150N03TS , WMB175DN10LG4 , WMB175N10HG4 , WMB175N10LG4 , WMB190N15HG4 , 2N60 , WMB26DN06TS , WMB26N06TS , WMB31430DN , WMB340N20HG2 , WMB35P04T1 , WMB35P06TS , WMB40N04TS , WMB46N03T1 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.