Справочник MOSFET. WMB240P10HG4

 

WMB240P10HG4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMB240P10HG4
   Маркировка: 240P10H4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 53 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 64.6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 328 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5060-8L

 Аналог (замена) для WMB240P10HG4

 

 

WMB240P10HG4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:637K  way-on
 wmb240p10hg4.pdf

WMB240P10HG4 WMB240P10HG4

WMB240P10HG4 100V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDDWMB240P10HG4 uses Wayon's4th generation power trench MOSFET D Dtechnology that has been especially tailored to minimize the on-state GsssssGresistance and yet maintain superior switching performance. This sdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN5060-

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top