WMB26N06TS Todos los transistores

 

WMB26N06TS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMB26N06TS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5060-8L
 

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WMB26N06TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:644K  way-on
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WMB26N06TS

WMB26N06TS 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDWMB26N06TS uses advanced power trench technology that has DD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet Gssmaintain superior switching performance. sssGsFeatures PDFN5060-8L V = 60V, I = 26A DS DR

 9.1. Size:629K  way-on
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WMB26N06TS

WMB26DN06TS 60V Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD2 D1D2 D1D1D2D1D2WMB26DN06TS uses advanced power trench technology that has S1been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet G1G2S2S2G1G2maintain superior switching performance. S1PDFN5060-8LFeatures V = 60V, I = 26A DS D R

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History: JCS10N65CT | IPD65R250E6 | FCHD040N65S3 | CET6601 | STU16N65M2 | SRC60R075BS | AO4702

 

 
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