WMB26N06TS Todos los transistores

 

WMB26N06TS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMB26N06TS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm

Encapsulados: PDFN5060-8L

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WMB26N06TS datasheet

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WMB26N06TS

WMB26N06TS 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D D WMB26N06TS uses advanced power trench technology that has D D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet G ss maintain superior switching performance. s ss G s Features PDFN5060-8L V = 60V, I = 26A DS D R

 9.1. Size:629K  way-on
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WMB26N06TS

WMB26DN06TS 60V Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D2 D1 D2 D1 D1 D2 D1 D2 WMB26DN06TS uses advanced power trench technology that has S1 been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet G1 G2 S2 S2 G1 G2 maintain superior switching performance. S1 PDFN5060-8L Features V = 60V, I = 26A DS D R

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