Справочник MOSFET. WMB26N06TS

 

WMB26N06TS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMB26N06TS
   Маркировка: B26N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 22 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5060-8L

 Аналог (замена) для WMB26N06TS

 

 

WMB26N06TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:644K  way-on
 wmb26n06ts.pdf

WMB26N06TS WMB26N06TS

WMB26N06TS 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDWMB26N06TS uses advanced power trench technology that has DD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet Gssmaintain superior switching performance. sssGsFeatures PDFN5060-8L V = 60V, I = 26A DS DR

 9.1. Size:629K  way-on
 wmb26dn06ts.pdf

WMB26N06TS WMB26N06TS

WMB26DN06TS 60V Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD2 D1D2 D1D1D2D1D2WMB26DN06TS uses advanced power trench technology that has S1been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet G1G2S2S2G1G2maintain superior switching performance. S1PDFN5060-8LFeatures V = 60V, I = 26A DS D R

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top