WMB31430DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WMB31430DN
   Código: B31430DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 24 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 56 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 31.1 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5060-8L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMB31430DN

WMB31430DN Datasheet (PDF)

..1. Size:603K way-on
wmb31430dn.pdf

WMB31430DN 30V Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMB31430DN uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially G2S1/D2tailored to minimize the on-state resistance and yet S1/D2S1/D2S1/D2S1/D2S1/D2maintain superior switching performance. This device is S2G2well suited for high efficiency fast switching applic

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Liste

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