WMB31430DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMB31430DN
Código: B31430DN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 24 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 56 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 31.1 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5060-8L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMB31430DN
WMB31430DN Datasheet (PDF)
wmb31430dn.pdf
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WMB31430DN 30V Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMB31430DN uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially G2S1/D2tailored to minimize the on-state resistance and yet S1/D2S1/D2S1/D2S1/D2S1/D2maintain superior switching performance. This device is S2G2well suited for high efficiency fast switching applic
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