WMB31430DN MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

WMB31430DN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMB31430DN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 24 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 56 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm

Encapsulados: PDFN5060-8L

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WMB31430DN datasheet

..1. Size:603K way-on
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WMB31430DN 30V Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB31430DN uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially G2 S1/D2 tailored to minimize the on-state resistance and yet S1/D2 S1/D2 S1/D2 S1/D2 S1/D2 maintain superior switching performance. This device is S2 G2 well suited for high efficiency fast switching applic

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