Справочник MOSFET. WMB31430DN

 

WMB31430DN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMB31430DN
   Маркировка: B31430DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 31.1 nC
   trⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5060-8L

 Аналог (замена) для WMB31430DN

 

 

WMB31430DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:603K  way-on
 wmb31430dn.pdf

WMB31430DN WMB31430DN

WMB31430DN 30V Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMB31430DN uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially G2S1/D2tailored to minimize the on-state resistance and yet S1/D2S1/D2S1/D2S1/D2S1/D2maintain superior switching performance. This device is S2G2well suited for high efficiency fast switching applic

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: WMQ10N10TS

 

 
Back to Top