Справочник MOSFET. WMB31430DN

 

WMB31430DN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMB31430DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5060-8L
 

 Аналог (замена) для WMB31430DN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMB31430DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:603K  way-on
 wmb31430dn.pdf pdf_icon

WMB31430DN

WMB31430DN 30V Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMB31430DN uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially G2S1/D2tailored to minimize the on-state resistance and yet S1/D2S1/D2S1/D2S1/D2S1/D2maintain superior switching performance. This device is S2G2well suited for high efficiency fast switching applic

Другие MOSFET... WMB150N03TS , WMB175DN10LG4 , WMB175N10HG4 , WMB175N10LG4 , WMB190N15HG4 , WMB240P10HG4 , WMB26DN06TS , WMB26N06TS , IRF520 , WMB340N20HG2 , WMB35P04T1 , WMB35P06TS , WMB40N04TS , WMB46N03T1 , WMB50P03TS , WMB50P04TS , WMB510N15HG2 .

History: AO8816

 

 
Back to Top

 


 
.