WMB31430DN - описание и поиск аналогов

 

WMB31430DN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMB31430DN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: PDFN5060-8L

Аналог (замена) для WMB31430DN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMB31430DN даташит

 ..1. Size:603K  way-on
 wmb31430dn.pdf pdf_icon

WMB31430DN

WMB31430DN 30V Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB31430DN uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially G2 S1/D2 tailored to minimize the on-state resistance and yet S1/D2 S1/D2 S1/D2 S1/D2 S1/D2 maintain superior switching performance. This device is S2 G2 well suited for high efficiency fast switching applic

Другие MOSFET... WMB150N03TS , WMB175DN10LG4 , WMB175N10HG4 , WMB175N10LG4 , WMB190N15HG4 , WMB240P10HG4 , WMB26DN06TS , WMB26N06TS , 75N75 , WMB340N20HG2 , WMB35P04T1 , WMB35P06TS , WMB40N04TS , WMB46N03T1 , WMB50P03TS , WMB50P04TS , WMB510N15HG2 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.