WMB340N20HG2 Todos los transistores

 

WMB340N20HG2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMB340N20HG2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 108.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 141 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5060-8L
     - Selección de transistores por parámetros

 

WMB340N20HG2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1115K  way-on
 wmb340n20hg2.pdf pdf_icon

WMB340N20HG2

WMB340N20HG2 200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDWMB340N20HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET DDDD Dtechnology that has been especially tailored to minimize the on-state Gssresistance and yet maintain superior switching performance. This sssGsdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN5060

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History: SIA517DJ | 2N4860A | BLF6G15L-250PBRN | CEU11P20 | SSM72T02GH | FK25SM-6 | PSMN063-150D

 

 
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