WMB340N20HG2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMB340N20HG2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 108.6 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 141 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5060-8L
Búsqueda de reemplazo de WMB340N20HG2 MOSFET
WMB340N20HG2 Datasheet (PDF)
wmb340n20hg2.pdf

WMB340N20HG2 200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDWMB340N20HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET DDDD Dtechnology that has been especially tailored to minimize the on-state Gssresistance and yet maintain superior switching performance. This sssGsdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN5060
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History: WMB020N03LG4 | KF70N06P
History: WMB020N03LG4 | KF70N06P



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