WMB340N20HG2 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

WMB340N20HG2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMB340N20HG2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 108.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 141 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm

Encapsulados: PDFN5060-8L

Búsqueda de reemplazo de WMB340N20HG2 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

WMB340N20HG2 datasheet

..1. Size:1115K way-on
wmb340n20hg2.pdf pdf_icon

WMB340N20HG2 200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D WMB340N20HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET DD D D D technology that has been especially tailored to minimize the on-state G ss resistance and yet maintain superior switching performance. This s ss G s device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN5060

Otros transistores... WMB175DN10LG4, WMB175N10HG4, WMB175N10LG4, WMB190N15HG4, WMB240P10HG4, WMB26DN06TS, WMB26N06TS, WMB31430DN, AO3400A, WMB35P04T1, WMB35P06TS, WMB40N04TS, WMB46N03T1, WMB50P03TS, WMB50P04TS, WMB510N15HG2, WMB52N03T2

🌐 : EN ES РУ

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

WMB340N20HG2 Todos los transistores