Справочник MOSFET. WMB340N20HG2

 

WMB340N20HG2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMB340N20HG2
   Маркировка: B340N20H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 108.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 23 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 141 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5060-8L

 Аналог (замена) для WMB340N20HG2

 

 

WMB340N20HG2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1115K  way-on
 wmb340n20hg2.pdf

WMB340N20HG2 WMB340N20HG2

WMB340N20HG2 200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDWMB340N20HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET DDDD Dtechnology that has been especially tailored to minimize the on-state Gssresistance and yet maintain superior switching performance. This sssGsdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN5060

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top