WMB340N20HG2 - описание и поиск аналогов

 

WMB340N20HG2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMB340N20HG2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 108.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 141 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm

Тип корпуса: PDFN5060-8L

Аналог (замена) для WMB340N20HG2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMB340N20HG2 даташит

 ..1. Size:1115K  way-on
 wmb340n20hg2.pdf pdf_icon

WMB340N20HG2

WMB340N20HG2 200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D WMB340N20HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET DD D D D technology that has been especially tailored to minimize the on-state G ss resistance and yet maintain superior switching performance. This s ss G s device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN5060

Другие MOSFET... WMB175DN10LG4 , WMB175N10HG4 , WMB175N10LG4 , WMB190N15HG4 , WMB240P10HG4 , WMB26DN06TS , WMB26N06TS , WMB31430DN , AO3400A , WMB35P04T1 , WMB35P06TS , WMB40N04TS , WMB46N03T1 , WMB50P03TS , WMB50P04TS , WMB510N15HG2 , WMB52N03T2 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.