WMB35P04T1 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

WMB35P04T1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMB35P04T1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm

Encapsulados: PDFN5060-8L

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WMB35P04T1 datasheet

..1. Size:629K way-on
wmb35p04t1.pdf pdf_icon

WMB35P04T1 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB35P04T1 uses advanced power trench technology that has D D D D D D D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. G ss s ss G s Features V = -40V, I = -35A PDFN5060-8L DS D R

7.1. Size:614K way-on
wmb35p06ts.pdf pdf_icon

WMB35P06TS 60V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB35P06TS uses advanced power trench technology that has been D D D D D D D D especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. G ss s ss G s Features PDFN5060-8L V = -60V, I = -35A DS D R

Otros transistores... WMB175N10HG4, WMB175N10LG4, WMB190N15HG4, WMB240P10HG4, WMB26DN06TS, WMB26N06TS, WMB31430DN, WMB340N20HG2, IRFB31N20D, WMB35P06TS, WMB40N04TS, WMB46N03T1, WMB50P03TS, WMB50P04TS, WMB510N15HG2, WMB52N03T2, WMB56N04T1

History: AP65SL190AIN

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