Справочник MOSFET. WMB35P04T1

 

WMB35P04T1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMB35P04T1
   Маркировка: B35P04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 20.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5060-8L
 

 Аналог (замена) для WMB35P04T1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMB35P04T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:629K  way-on
 wmb35p04t1.pdf pdf_icon

WMB35P04T1

WMB35P04T1 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMB35P04T1 uses advanced power trench technology that has D DDDDDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. GsssssGsFeatures V = -40V, I = -35A PDFN5060-8LDS DR

 7.1. Size:614K  way-on
 wmb35p06ts.pdf pdf_icon

WMB35P04T1

WMB35P06TS 60V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMB35P06TS uses advanced power trench technology that has been D DDDDDD Despecially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. GsssssGsFeatures PDFN5060-8L V = -60V, I = -35A DS DR

Другие MOSFET... WMB175N10HG4 , WMB175N10LG4 , WMB190N15HG4 , WMB240P10HG4 , WMB26DN06TS , WMB26N06TS , WMB31430DN , WMB340N20HG2 , IRF730 , WMB35P06TS , WMB40N04TS , WMB46N03T1 , WMB50P03TS , WMB50P04TS , WMB510N15HG2 , WMB52N03T2 , WMB56N04T1 .

 

 
Back to Top

 


 
.