WMB35P04T1 - описание и поиск аналогов

 

WMB35P04T1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMB35P04T1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm

Тип корпуса: PDFN5060-8L

Аналог (замена) для WMB35P04T1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMB35P04T1 даташит

 ..1. Size:629K  way-on
 wmb35p04t1.pdf pdf_icon

WMB35P04T1

WMB35P04T1 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB35P04T1 uses advanced power trench technology that has D D D D D D D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. G ss s ss G s Features V = -40V, I = -35A PDFN5060-8L DS D R

 7.1. Size:614K  way-on
 wmb35p06ts.pdf pdf_icon

WMB35P04T1

WMB35P06TS 60V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB35P06TS uses advanced power trench technology that has been D D D D D D D D especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. G ss s ss G s Features PDFN5060-8L V = -60V, I = -35A DS D R

Другие MOSFET... WMB175N10HG4 , WMB175N10LG4 , WMB190N15HG4 , WMB240P10HG4 , WMB26DN06TS , WMB26N06TS , WMB31430DN , WMB340N20HG2 , IRFB31N20D , WMB35P06TS , WMB40N04TS , WMB46N03T1 , WMB50P03TS , WMB50P04TS , WMB510N15HG2 , WMB52N03T2 , WMB56N04T1 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.