WMB35P04T1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WMB35P04T1
Маркировка: B35P04
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC
trⓘ - Время нарастания: 20.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
Тип корпуса: PDFN5060-8L
Аналог (замена) для WMB35P04T1
WMB35P04T1 Datasheet (PDF)
wmb35p04t1.pdf
WMB35P04T1 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMB35P04T1 uses advanced power trench technology that has D DDDDDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. GsssssGsFeatures V = -40V, I = -35A PDFN5060-8LDS DR
wmb35p06ts.pdf
WMB35P06TS 60V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMB35P06TS uses advanced power trench technology that has been D DDDDDD Despecially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. GsssssGsFeatures PDFN5060-8L V = -60V, I = -35A DS DR
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100