WMB35P04T1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WMB35P04T1
Маркировка: B35P04
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC
trⓘ - Время нарастания: 20.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
Тип корпуса: PDFN5060-8L
Аналог (замена) для WMB35P04T1
WMB35P04T1 Datasheet (PDF)
wmb35p04t1.pdf
WMB35P04T1 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMB35P04T1 uses advanced power trench technology that has D DDDDDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. GsssssGsFeatures V = -40V, I = -35A PDFN5060-8LDS DR
wmb35p06ts.pdf
WMB35P06TS 60V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMB35P06TS uses advanced power trench technology that has been D DDDDDD Despecially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. GsssssGsFeatures PDFN5060-8L V = -60V, I = -35A DS DR
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918