WMB35P06TS Todos los transistores

 

WMB35P06TS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMB35P06TS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 59.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 168 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5060-8L
 

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WMB35P06TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:614K  way-on
 wmb35p06ts.pdf pdf_icon

WMB35P06TS

WMB35P06TS 60V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMB35P06TS uses advanced power trench technology that has been D DDDDDD Despecially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. GsssssGsFeatures PDFN5060-8L V = -60V, I = -35A DS DR

 7.1. Size:629K  way-on
 wmb35p04t1.pdf pdf_icon

WMB35P06TS

WMB35P04T1 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMB35P04T1 uses advanced power trench technology that has D DDDDDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. GsssssGsFeatures V = -40V, I = -35A PDFN5060-8LDS DR

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History: SWHA50P03 | TK8B50D | STP185N55F3 | B2N65 | SIA413ADJ | IPDD60R150G7 | FQB12N60TMAM002

 

 
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