Справочник MOSFET. WMB35P06TS

 

WMB35P06TS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMB35P06TS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 168 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5060-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WMB35P06TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:614K  way-on
 wmb35p06ts.pdf pdf_icon

WMB35P06TS

WMB35P06TS 60V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMB35P06TS uses advanced power trench technology that has been D DDDDDD Despecially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. GsssssGsFeatures PDFN5060-8L V = -60V, I = -35A DS DR

 7.1. Size:629K  way-on
 wmb35p04t1.pdf pdf_icon

WMB35P06TS

WMB35P04T1 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMB35P04T1 uses advanced power trench technology that has D DDDDDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. GsssssGsFeatures V = -40V, I = -35A PDFN5060-8LDS DR

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: KNH9130A | 2SK2424 | 2SK4108 | CM20N50P | P0908ATF | JCS2N60MB | AP9997GP-HF

 

 
Back to Top

 


 
.