WMB40N04TS MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

WMB40N04TS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMB40N04TS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: PDFN5060-8L

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WMB40N04TS datasheet

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WMB40N04TS 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D D WMB40N04TS uses advanced power trench technology that has been D D D especially tailored to minimize the on-state resistance and yet G ss maintain superior switching performance. s ss G s Features PDFN5060-8L V = 40V, I = 40A DS D R

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History: BUZ103SL

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