WMB40N04TS Todos los transistores

 

WMB40N04TS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMB40N04TS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5060-8L
 

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WMB40N04TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:986K  way-on
 wmb40n04ts.pdf pdf_icon

WMB40N04TS

WMB40N04TS 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDWMB40N04TS uses advanced power trench technology that has been DD Despecially tailored to minimize the on-state resistance and yet Gssmaintain superior switching performance. sssGsFeatures PDFN5060-8L V = 40V, I = 40A DS DR

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History: SSG4902NA | ZXMN2F30FH | 2SK3588-01L | DMG4468LK3 | WMB175N10LG4 | AON3806

 

 
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