WMB40N04TS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: WMB40N04TS
Маркировка: B40N04S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 22.2 nC
trⓘ - Время нарастания: 2.1 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
Тип корпуса: PDFN5060-8L
WMB40N04TS Datasheet (PDF)
wmb40n04ts.pdf

WMB40N04TS 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDWMB40N04TS uses advanced power trench technology that has been DD Despecially tailored to minimize the on-state resistance and yet Gssmaintain superior switching performance. sssGsFeatures PDFN5060-8L V = 40V, I = 40A DS DR
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: 2SK3712 | CEP75N06 | RU60E16R | PDPM6N20V3 | OSG55R028HF | MTM2N50 | RQ3E120AT
History: 2SK3712 | CEP75N06 | RU60E16R | PDPM6N20V3 | OSG55R028HF | MTM2N50 | RQ3E120AT



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DH060N07D | DH060N07B | DH060N03R | DH045N06I | DH045N06F | DH045N06E | DH045N06D | DH045N06B | DH045N06 | DH045N04P | DH045N04I | DH045N04F | DH045N04E | DH045N04D | DH045N04B | DH045N04
Popular searches
2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979 | 2sc4793