WMB40N04TS - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: WMB40N04TS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 2.1 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
Тип корпуса: PDFN5060-8L
Аналог (замена) для WMB40N04TS
WMB40N04TS Datasheet (PDF)
wmb40n04ts.pdf

WMB40N04TS 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDWMB40N04TS uses advanced power trench technology that has been DD Despecially tailored to minimize the on-state resistance and yet Gssmaintain superior switching performance. sssGsFeatures PDFN5060-8L V = 40V, I = 40A DS DR
Другие MOSFET... WMB190N15HG4 , WMB240P10HG4 , WMB26DN06TS , WMB26N06TS , WMB31430DN , WMB340N20HG2 , WMB35P04T1 , WMB35P06TS , NCEP15T14 , WMB46N03T1 , WMB50P03TS , WMB50P04TS , WMB510N15HG2 , WMB52N03T2 , WMB56N04T1 , WMB58N03T1 , WMB60P02TS .
History: RFD8P06LESM | IRF3000PBF | SML20L100
History: RFD8P06LESM | IRF3000PBF | SML20L100



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979 | 2sc4793