WMB40N04TS - описание и поиск аналогов

 

WMB40N04TS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMB40N04TS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: PDFN5060-8L

Аналог (замена) для WMB40N04TS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMB40N04TS даташит

 ..1. Size:986K  way-on
 wmb40n04ts.pdf pdf_icon

WMB40N04TS

WMB40N04TS 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D D WMB40N04TS uses advanced power trench technology that has been D D D especially tailored to minimize the on-state resistance and yet G ss maintain superior switching performance. s ss G s Features PDFN5060-8L V = 40V, I = 40A DS D R

Другие MOSFET... WMB190N15HG4 , WMB240P10HG4 , WMB26DN06TS , WMB26N06TS , WMB31430DN , WMB340N20HG2 , WMB35P04T1 , WMB35P06TS , IRF1405 , WMB46N03T1 , WMB50P03TS , WMB50P04TS , WMB510N15HG2 , WMB52N03T2 , WMB56N04T1 , WMB58N03T1 , WMB60P02TS .

History: STI16N65M5

 

 

 

 

↑ Back to Top
.