WMB50P03TS MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

WMB50P03TS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMB50P03TS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: PDFN5060-8L

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WMB50P03TS datasheet

..1. Size:622K way-on
wmb50p03ts.pdf pdf_icon

WMB50P03TS 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB50P03TS uses advanced power trench technology that has D D D D D D D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet G maintain superior switching performance. ss s ss G s Features PDFN5060-8L V = -30V, I = -50A DS D R

7.1. Size:620K way-on
wmb50p04ts.pdf pdf_icon

WMB50P04TS 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D WMB50P04TS uses advanced power trench technology that has D DD D D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet G maintain superior switching performance. ss s ss G s Features V = - 40V, I = - 50A DS D PDFN5060-8L R

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