WMB50P03TS Todos los transistores

 

WMB50P03TS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMB50P03TS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5060-8L
 

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WMB50P03TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:622K  way-on
 wmb50p03ts.pdf pdf_icon

WMB50P03TS

WMB50P03TS 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMB50P03TS uses advanced power trench technology that has D DDDDDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet Gmaintain superior switching performance. sssssGsFeatures PDFN5060-8L V = -30V, I = -50A DS DR

 7.1. Size:620K  way-on
 wmb50p04ts.pdf pdf_icon

WMB50P03TS

WMB50P04TS 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DWMB50P04TS uses advanced power trench technology that has DDDDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet Gmaintain superior switching performance. sssssGsFeatures V = - 40V, I = - 50A DS D PDFN5060-8LR

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History: TPC8001 | FHF10N65B | STW45N60DM2AG | STW65N65DM2AG | VBA1104N | STW35N60DM2 | TK40X10J1

 

 
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