Справочник MOSFET. WMB50P03TS

 

WMB50P03TS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMB50P03TS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5060-8L
 

 Аналог (замена) для WMB50P03TS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMB50P03TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:622K  way-on
 wmb50p03ts.pdf pdf_icon

WMB50P03TS

WMB50P03TS 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMB50P03TS uses advanced power trench technology that has D DDDDDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet Gmaintain superior switching performance. sssssGsFeatures PDFN5060-8L V = -30V, I = -50A DS DR

 7.1. Size:620K  way-on
 wmb50p04ts.pdf pdf_icon

WMB50P03TS

WMB50P04TS 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DWMB50P04TS uses advanced power trench technology that has DDDDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet Gmaintain superior switching performance. sssssGsFeatures V = - 40V, I = - 50A DS D PDFN5060-8LR

Другие MOSFET... WMB26DN06TS , WMB26N06TS , WMB31430DN , WMB340N20HG2 , WMB35P04T1 , WMB35P06TS , WMB40N04TS , WMB46N03T1 , RU7088R , WMB50P04TS , WMB510N15HG2 , WMB52N03T2 , WMB56N04T1 , WMB58N03T1 , WMB60P02TS , WMB60P03TA , WMB690N15HG2 .

History: STB12NM50N

 

 
Back to Top

 


 
.