WMB52N03T2 Todos los transistores

 

WMB52N03T2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMB52N03T2
   Código: B52N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 52 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0063 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5060-8L
 

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WMB52N03T2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1013K  way-on
 wmb52n03t2.pdf pdf_icon

WMB52N03T2

WMB52N03T2 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DD DWMB52N03T2 uses advanced power trench technology that has D DDDbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and Gyet maintain superior switching performance. ssss sGsFeatures PDFN5060-8L V = 30V, I = 52A DS DR

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History: MTH6N100 | JCS8N65R

 

 
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