WMB52N03T2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMB52N03T2
Código: B52N03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 52 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 8 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0063 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5060-8L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMB52N03T2
WMB52N03T2 Datasheet (PDF)
wmb52n03t2.pdf
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WMB52N03T2 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DD DWMB52N03T2 uses advanced power trench technology that has D DDDbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and Gyet maintain superior switching performance. ssss sGsFeatures PDFN5060-8L V = 30V, I = 52A DS DR
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