WMB52N03T2 - аналоги и даташиты транзистора

 

WMB52N03T2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: WMB52N03T2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0063 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5060-8L
 

 Аналог (замена) для WMB52N03T2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMB52N03T2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1013K  way-on
 wmb52n03t2.pdf pdf_icon

WMB52N03T2

WMB52N03T2 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DD DWMB52N03T2 uses advanced power trench technology that has D DDDbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and Gyet maintain superior switching performance. ssss sGsFeatures PDFN5060-8L V = 30V, I = 52A DS DR

Другие MOSFET... WMB340N20HG2 , WMB35P04T1 , WMB35P06TS , WMB40N04TS , WMB46N03T1 , WMB50P03TS , WMB50P04TS , WMB510N15HG2 , IRLB3034 , WMB56N04T1 , WMB58N03T1 , WMB60P02TS , WMB60P03TA , WMB690N15HG2 , WMB70N04T1 , WMB70P02TS , WMB80N06TS .

History: WMB60P02TS | AO6400 | IRL3714S | AO4952 | AP65SL380DI | WMB50P03TS | BLF7G15LS-300P

 

 
Back to Top

 


 
.