WMB52N03T2 - описание и поиск аналогов

 

WMB52N03T2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMB52N03T2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0063 Ohm

Тип корпуса: PDFN5060-8L

Аналог (замена) для WMB52N03T2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMB52N03T2 даташит

 ..1. Size:1013K  way-on
 wmb52n03t2.pdf pdf_icon

WMB52N03T2

WMB52N03T2 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D WMB52N03T2 uses advanced power trench technology that has D D D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and G yet maintain superior switching performance. ss ss s G s Features PDFN5060-8L V = 30V, I = 52A DS D R

Другие MOSFET... WMB340N20HG2 , WMB35P04T1 , WMB35P06TS , WMB40N04TS , WMB46N03T1 , WMB50P03TS , WMB50P04TS , WMB510N15HG2 , IRLB3034 , WMB56N04T1 , WMB58N03T1 , WMB60P02TS , WMB60P03TA , WMB690N15HG2 , WMB70N04T1 , WMB70P02TS , WMB80N06TS .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.