Справочник MOSFET. WMB52N03T2

 

WMB52N03T2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMB52N03T2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0063 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5060-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WMB52N03T2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1013K  way-on
 wmb52n03t2.pdf pdf_icon

WMB52N03T2

WMB52N03T2 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DD DWMB52N03T2 uses advanced power trench technology that has D DDDbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and Gyet maintain superior switching performance. ssss sGsFeatures PDFN5060-8L V = 30V, I = 52A DS DR

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: DMT10H010LK3 | WMJ38N60C2 | SSF6N80A | IRFR012 | AO6804A | TK80F08K3 | HAT1038R

 

 
Back to Top

 


 
.