WMB56N04T1 Todos los transistores

 

WMB56N04T1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMB56N04T1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 52 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0063 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5060-8L
 

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WMB56N04T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:628K  way-on
 wmb56n04t1.pdf pdf_icon

WMB56N04T1

WMB56N04T1 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDD DDWMB56N04T1 uses advanced power trench technology that has D Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and Gssyet maintain superior switching performance. ss sGsFeatures PDFN5060-8L V = 40V, I = 56A DS DR

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History: BLF7G20LS-200 | 2SK3592-01S | AON5802B | AON5810 | STS9D8NH3LL | DMG6402LDM | PPMDP100V10

 

 
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