WMB56N04T1 Todos los transistores

 

WMB56N04T1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMB56N04T1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 52 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0063 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5060-8L
 

 Búsqueda de reemplazo de WMB56N04T1 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

WMB56N04T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:628K  way-on
 wmb56n04t1.pdf pdf_icon

WMB56N04T1

WMB56N04T1 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDD DDWMB56N04T1 uses advanced power trench technology that has D Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and Gssyet maintain superior switching performance. ss sGsFeatures PDFN5060-8L V = 40V, I = 56A DS DR

Otros transistores... WMB35P04T1 , WMB35P06TS , WMB40N04TS , WMB46N03T1 , WMB50P03TS , WMB50P04TS , WMB510N15HG2 , WMB52N03T2 , AON7403 , WMB58N03T1 , WMB60P02TS , WMB60P03TA , WMB690N15HG2 , WMB70N04T1 , WMB70P02TS , WMB80N06TS , WMB80P04TS .

History: SSG4902NA | GT4953 | SSI1N50A | KHB7D0N65F2 | AOD2916 | HM4412A

 

 
Back to Top

 


 
.