WMB56N04T1 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

WMB56N04T1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMB56N04T1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 52 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0063 Ohm

Encapsulados: PDFN5060-8L

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WMB56N04T1 datasheet

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WMB56N04T1 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D DD WMB56N04T1 uses advanced power trench technology that has D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and G ss yet maintain superior switching performance. ss s G s Features PDFN5060-8L V = 40V, I = 56A DS D R

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History: IPB80N04S3-04 | SI8810EDB | STH300NH02L-6

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