Справочник MOSFET. WMB56N04T1

 

WMB56N04T1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMB56N04T1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0063 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5060-8L
 

 Аналог (замена) для WMB56N04T1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMB56N04T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:628K  way-on
 wmb56n04t1.pdf pdf_icon

WMB56N04T1

WMB56N04T1 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDD DDWMB56N04T1 uses advanced power trench technology that has D Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and Gssyet maintain superior switching performance. ss sGsFeatures PDFN5060-8L V = 40V, I = 56A DS DR

Другие MOSFET... WMB35P04T1 , WMB35P06TS , WMB40N04TS , WMB46N03T1 , WMB50P03TS , WMB50P04TS , WMB510N15HG2 , WMB52N03T2 , AON7403 , WMB58N03T1 , WMB60P02TS , WMB60P03TA , WMB690N15HG2 , WMB70N04T1 , WMB70P02TS , WMB80N06TS , WMB80P04TS .

 

 
Back to Top

 


 
.