WMB56N04T1 - описание и поиск аналогов

 

WMB56N04T1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMB56N04T1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0063 Ohm

Тип корпуса: PDFN5060-8L

Аналог (замена) для WMB56N04T1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMB56N04T1 даташит

 ..1. Size:628K  way-on
 wmb56n04t1.pdf pdf_icon

WMB56N04T1

WMB56N04T1 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D DD WMB56N04T1 uses advanced power trench technology that has D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and G ss yet maintain superior switching performance. ss s G s Features PDFN5060-8L V = 40V, I = 56A DS D R

Другие MOSFET... WMB35P04T1 , WMB35P06TS , WMB40N04TS , WMB46N03T1 , WMB50P03TS , WMB50P04TS , WMB510N15HG2 , WMB52N03T2 , IRF9640 , WMB58N03T1 , WMB60P02TS , WMB60P03TA , WMB690N15HG2 , WMB70N04T1 , WMB70P02TS , WMB80N06TS , WMB80P04TS .

History: LND20N60 | WMB52N03T2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.