WMB58N03T1 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

WMB58N03T1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMB58N03T1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 58 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: PDFN5060-8L

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WMB58N03T1 datasheet

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WMB58N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D D D D D WMB58N03T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and G s ss ss yet maintain superior switching performance. s G Features PDFN5060-8L V = 30V, I = 58A DS D R

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