Справочник MOSFET. WMB58N03T1

 

WMB58N03T1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMB58N03T1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5060-8L
 

 Аналог (замена) для WMB58N03T1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMB58N03T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:611K  way-on
 wmb58n03t1.pdf pdf_icon

WMB58N03T1

WMB58N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DD DD DD DWMB58N03T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and Gsss ssyet maintain superior switching performance. s GFeatures PDFN5060-8L V = 30V, I = 58A DS DR

Другие MOSFET... WMB35P06TS , WMB40N04TS , WMB46N03T1 , WMB50P03TS , WMB50P04TS , WMB510N15HG2 , WMB52N03T2 , WMB56N04T1 , 8N60 , WMB60P02TS , WMB60P03TA , WMB690N15HG2 , WMB70N04T1 , WMB70P02TS , WMB80N06TS , WMB80P04TS , WMB81N03T1 .

History: TK750A60F | IRFH5306 | IRF200B211 | SML1248NC2A | HM4430A | BUZ310 | APTM50AM24SCG

 

 
Back to Top

 


 
.