WMB60P02TS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMB60P02TS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41.9 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0078 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5060-8L
Búsqueda de reemplazo de WMB60P02TS MOSFET
WMB60P02TS Datasheet (PDF)
wmb60p02ts.pdf
WMB60P02TS 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMB60P02TS uses advanced power trench technology that has D DDDDDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet Gmaintain superior switching performance. sssssGsFeatures PDFN5060-8L V = -20V, I = -60A DS DR
wmb60p03ta.pdf
WMB60P03TA 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMB60P03TA uses advanced power trench technology that has D DDD DDbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and D Dyet maintain superior switching performance. Gssss sGsFeatures V = -30V, I = -60A DS DPDFN5060-8LR
Otros transistores... WMB40N04TS , WMB46N03T1 , WMB50P03TS , WMB50P04TS , WMB510N15HG2 , WMB52N03T2 , WMB56N04T1 , WMB58N03T1 , EMB04N03H , WMB60P03TA , WMB690N15HG2 , WMB70N04T1 , WMB70P02TS , WMB80N06TS , WMB80P04TS , WMB81N03T1 , WMB90N02TS .
History: NTMFS4821N | TMD4N60 | NDT2N60P
History: NTMFS4821N | TMD4N60 | NDT2N60P
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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