WMB60P02TS MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

WMB60P02TS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMB60P02TS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0078 Ohm

Encapsulados: PDFN5060-8L

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WMB60P02TS datasheet

..1. Size:617K way-on
wmb60p02ts.pdf pdf_icon

WMB60P02TS 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB60P02TS uses advanced power trench technology that has D D D D D D D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet G maintain superior switching performance. ss s ss G s Features PDFN5060-8L V = -20V, I = -60A DS D R

7.1. Size:626K way-on
wmb60p03ta.pdf pdf_icon

WMB60P03TA 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB60P03TA uses advanced power trench technology that has D D D D DD been especially tailored to minimize the on-state resistance and D D yet maintain superior switching performance. G ss ss s G s Features V = -30V, I = -60A DS D PDFN5060-8L R

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