WMB60P02TS - описание и поиск аналогов

 

WMB60P02TS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMB60P02TS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0078 Ohm

Тип корпуса: PDFN5060-8L

Аналог (замена) для WMB60P02TS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMB60P02TS даташит

 ..1. Size:617K  way-on
 wmb60p02ts.pdf pdf_icon

WMB60P02TS

WMB60P02TS 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB60P02TS uses advanced power trench technology that has D D D D D D D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet G maintain superior switching performance. ss s ss G s Features PDFN5060-8L V = -20V, I = -60A DS D R

 7.1. Size:626K  way-on
 wmb60p03ta.pdf pdf_icon

WMB60P02TS

WMB60P03TA 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB60P03TA uses advanced power trench technology that has D D D D DD been especially tailored to minimize the on-state resistance and D D yet maintain superior switching performance. G ss ss s G s Features V = -30V, I = -60A DS D PDFN5060-8L R

Другие MOSFET... WMB40N04TS , WMB46N03T1 , WMB50P03TS , WMB50P04TS , WMB510N15HG2 , WMB52N03T2 , WMB56N04T1 , WMB58N03T1 , AON7403 , WMB60P03TA , WMB690N15HG2 , WMB70N04T1 , WMB70P02TS , WMB80N06TS , WMB80P04TS , WMB81N03T1 , WMB90N02TS .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.