STK801 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STK801
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.6 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT89
Búsqueda de reemplazo de STK801 MOSFET
STK801 Datasheet (PDF)
stk801.pdf
GreenProductSTK801aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) () MaxVDSS IDRugged and reliable.1.2 @ VGS=10VSuface Mount Package.80V 0.6A1.5 @ VGS=4.5V ESD Protected.D DG SDSOT-89GS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless
stk800.pdf
STK800N-channel 30V - 0.006 - 20A - PolarPAKSTripFET Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) RDS(on)*Qg PTOTTypeSTK800 30V
Otros transistores... FDP8447L , FDP8860 , STM102D , FDP8870 , STM101N , FDP8870F085 , STK900 , FDP8874 , IRF530 , FDP8876 , STK600 , FDP8880 , STK400 , FDP8896 , STK103 , FDP8N50NZ , FDPF10N50FT .
History: FDP8876
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