STK801 - описание и поиск аналогов

 

STK801. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STK801

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: SOT89

Аналог (замена) для STK801

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STK801 даташит

 ..1. Size:109K  samhop
stk801.pdfpdf_icon

STK801

Green Product STK801 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) ( ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 1.2 @ VGS=10V Suface Mount Package. 80V 0.6A 1.5 @ VGS=4.5V ESD Protected. D D G S D SOT-89 G S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C unless

 9.1. Size:519K  st
stk800.pdfpdf_icon

STK801

STK800 N-channel 30V - 0.006 - 20A - PolarPAK STripFET Power MOSFET Features VDSS RDS(on) RDS(on)*Qg PTOT Type STK800 30V

Другие MOSFET... FDP8447L , FDP8860 , STM102D , FDP8870 , STM101N , FDP8870F085 , STK900 , FDP8874 , 20N50 , FDP8876 , STK600 , FDP8880 , STK400 , FDP8896 , STK103 , FDP8N50NZ , FDPF10N50FT .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.