Справочник MOSFET. STK801

 

STK801 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STK801
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: SOT89
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STK801 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:109K  samhop
stk801.pdfpdf_icon

STK801

GreenProductSTK801aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) () MaxVDSS IDRugged and reliable.1.2 @ VGS=10VSuface Mount Package.80V 0.6A1.5 @ VGS=4.5V ESD Protected.D DG SDSOT-89GS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless

 9.1. Size:519K  st
stk800.pdfpdf_icon

STK801

STK800N-channel 30V - 0.006 - 20A - PolarPAKSTripFET Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) RDS(on)*Qg PTOTTypeSTK800 30V

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IRFS833 | HRLF190N03K | SI7120DN | 2N4338 | SI1402DH | FDS4435-NL | HGP039N08S

 

 
Back to Top

 


 
.